注：统模挑战杭州第19届亚运会（The19thAsianGamesHangzhou），统模挑战又称2022年杭州亚运会，是继1990年北京亚运会、2010年广州亚运会之后，中国第三次举办亚洲最高规格的国际综合性体育赛事。

图3.CV曲线和能级图PNBDO-TTT、拟输PNBDO-STS和PNBDO-SSS的CV曲线(a)和分子前沿轨道能级图示意图(b)。基于PNBDO-TTT和PNBDO-STS的柔性场效应晶体管器件表现出较高的电子迁移率，入输分别为2.41和2.68cm2V−1s−1，入输而基于PNBDO-SSS的场效应器件的电子迁移率仅为0.012cm2V−1s−1。

图4.以PET为基底构建的PNBDO-TTT、势及设计PNBDO-STS和PNBDO-SSS的柔性PFETs的转移曲线本研究中使用的TG/BC器件结构(a)。统模挑战明显不同的薄膜微结构部分归因于硒原子诱导产生的不同的聚合物分子自组装行为。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，拟输投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。

【总结】研究团队发展了三种含不同硫族芳香烃结构单元包括TTT、入输STS或SSS的基于NBDO结构的聚合物半导体材料，入输并研究了它们的热学、光学、电化学、理论模拟、分子聚集态结构和载流子传输特性等性质。更为重要的是，势及设计目前大部分记录性的高载流子迁移率也几乎全是由含硫族芳香烃结构单元为代表的第三代D−A共聚物中获得的。

基于PNBDO-TTT和PNBDO-STS的柔性PFETs表现出双极载流子传输特性，统模挑战其电子迁移率分别高达2.41和2.68cm2V-1s-1，而PNBDO-SSS只给出很低的电荷迁移率。

在这项工作中，拟输作者报道了含有不同的含硫族芳香烃结构单元，拟输即4,7-二(噻吩-2-基)苯并[c][1,2,5]噻二唑（TTT）、4,7-二(硒吩-2-基)苯并[c][1,2,5]噻二唑（STS）或4,7-二(硒吩-2-基)苯并[c][1,2,5]硒吩唑（SSS）的三种A-D-Aꞌ-D型基于(3E,7E)-3,7-双(2-氧代-1H-吡咯并[2,3-b]吡啶-3(2H)-亚基)苯并[1,2-b:4,5-b′]二呋喃-2,6(3H,7H)-二酮(NBDO)结构的新型D−A共轭聚合物半导体材料。此外，入输有序2D结构的可控组装改变了许多物理特性，入输并显示出独特的电、光、磁和催化特性，这不仅是因为表面积/体积比的显著增加，也是因为由于纳米线间排列的结果。

此外，势及设计为了将NWs组装成更复杂的3D结构，科学家还发展了蚀刻技术来修改模板的制作工艺。通过在冷冻干燥过程中使用有机溶液、统模挑战水溶液、胶体悬浮液和超临界CO2溶液可以产生多种多孔和特殊结构的组装体。

不同于冷冻干燥，拟输3D多孔凝胶可以是独立的，没有冰支撑。3.2.2机械印刷机械印刷作为一种高效且重复性好的技术，入输可以大规模的在不同基底上制备间距可控和密度可调的的高度有序和图案化的NW阵列。